一种多弧离子镀阴极装置及多弧离子镀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411711987.8

申请日：

2024-11-25

公开(公告)号：

CN119506791A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

盛海杨安存韦金权王金年

申请人：

深圳市谦弧科技有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南七道206号高新工业村R2-B栋103

IPC主分类号：

C23C14/32

IPC分类号：

代理机构：

佛山中贵知识产权代理事务所(普通合伙) 44491

代理人：

林宗伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	公开	公开
2025-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/32申请日:20241125

共 50 条

[1]

一种多弧离子镀阴极装置 [P].

崔岸 ;

黄显晴 ;

刘天赐 ;

杨伟丽 ;

徐晓倩 ;

孙文龙 ;

郝裕兴 .

中国专利 :CN110042349B ,2024-11-22

[2]

一种多弧离子镀阴极装置 [P].

崔岸 ;

黄显晴 ;

刘天赐 ;

杨伟丽 ;

徐晓倩 ;

孙文龙 ;

郝裕兴 .

中国专利 :CN210341041U ,2020-04-17

[3]

一种多弧离子镀阴极装置 [P].

崔岸 ;

黄显晴 ;

刘天赐 ;

杨伟丽 ;

徐晓倩 ;

孙文龙 ;

郝裕兴 .

中国专利 :CN110042349A ,2019-07-23

[4]

多弧离子镀弧源装置 [P].

王磊 ;

孙雪晴 ;

胡平 ;

储松柏 ;

任斌 .

中国专利 :CN216074013U ,2022-03-18

[5]

多弧离子镀的双线圈控制弧源装置及多弧离子镀设备 [P].

李浩 ;

姚奕帆 ;

徐小军 ;

朱旻昊 .

中国专利 :CN117448753A ,2024-01-26

[6]

光学多弧离子镀方法及其装置 [P].

祝海生 ;

孙桂红 ;

陈立 ;

凌云 ;

黄夏 ;

黄国兴 .

中国专利 :CN109930115A ,2019-06-25

[7]

一种多弧离子镀引弧装置 [P].

胡方勤 ;

宋振纶 ;

郑必长 ;

许赪 .

中国专利 :CN112746249B ,2021-05-04

[8]

一种多弧离子镀引弧装置 [P].

王光辉 ;

张宏伟 ;

姜月秋 ;

郭策安 ;

卢旭东 .

中国专利 :CN119553230B ,2025-05-30

[9]

一种多弧离子镀引弧装置 [P].

王光辉 ;

张宏伟 ;

姜月秋 ;

郭策安 ;

卢旭东 .

中国专利 :CN119553230A ,2025-03-04

[10]

一种多弧离子镀的镀镍装置及方法 [P].

冯长杰 ;

李子浩 ;

李明升 ;

王赫男 ;

迟云飞 ;

靳宗翰 ;

张宇迪 .

中国专利 :CN120666295A ,2025-09-19

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