一种多弧离子镀引弧装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411762059.4

申请日：

2024-12-03

公开(公告)号：

CN119553230A

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

王光辉张宏伟姜月秋郭策安卢旭东

申请人：

沈阳理工大学

申请人地址：

110159 辽宁省沈阳市浑南新区南屏中路6号

IPC主分类号：

C23C14/32

IPC分类号：

代理机构：

沈阳易通专利事务所 21116

代理人：

于丽丽

法律状态：

公开

国省代码：

辽宁省沈阳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-04	公开	公开
2025-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/32申请日:20241203
2025-05-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种多弧离子镀引弧装置 [P].

王光辉 ;

张宏伟 ;

姜月秋 ;

郭策安 ;

卢旭东 .

中国专利 :CN119553230B ,2025-05-30

[2]

一种多弧离子镀引弧装置 [P].

胡方勤 ;

宋振纶 ;

郑必长 ;

许赪 .

中国专利 :CN112746249B ,2021-05-04

[3]

多弧离子镀弧源装置 [P].

王磊 ;

孙雪晴 ;

胡平 ;

储松柏 ;

任斌 .

中国专利 :CN216074013U ,2022-03-18

[4]

一种多弧离子镀阴极装置 [P].

崔岸 ;

黄显晴 ;

刘天赐 ;

杨伟丽 ;

徐晓倩 ;

孙文龙 ;

郝裕兴 .

中国专利 :CN110042349A ,2019-07-23

[5]

一种多弧离子镀阴极装置 [P].

崔岸 ;

黄显晴 ;

刘天赐 ;

杨伟丽 ;

徐晓倩 ;

孙文龙 ;

郝裕兴 .

中国专利 :CN110042349B ,2024-11-22

[6]

一种多弧离子镀阴极装置 [P].

崔岸 ;

黄显晴 ;

刘天赐 ;

杨伟丽 ;

徐晓倩 ;

孙文龙 ;

郝裕兴 .

中国专利 :CN210341041U ,2020-04-17

[7]

多弧离子镀的双线圈控制弧源装置及多弧离子镀设备 [P].

李浩 ;

姚奕帆 ;

徐小军 ;

朱旻昊 .

中国专利 :CN117448753A ,2024-01-26

[8]

一种多弧离子镀阴极装置及多弧离子镀方法 [P].

盛海 ;

杨安存 ;

韦金权 ;

王金年 .

中国专利 :CN119506791A ,2025-02-25

[9]

一种多弧离子镀弧源伸缩装置 [P].

冷长志 .

中国专利 :CN114561620A ,2022-05-31

[10]

微弧离子镀方法 [P].

蒋百铃 ;

曹政 ;

李洪涛 ;

赵健 .

中国专利 :CN103397304A ,2013-11-20

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