形成至少一部分双位存储核心阵列于半导体衬底上的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580015098.7

申请日：

2005-02-11

公开(公告)号：

CN100479169C

公开(公告)日：

2007-04-25

发明(设计)人：

W·钱 M·T·拉姆斯贝 J·Y-M·扬 S·哈达德

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司

代理人：

程伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-15	授权	授权
2016-04-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101731637677 IPC(主分类):H01L 27/115 专利号:ZL2005800150987 登记生效日:20160408 变更事项:专利权人变更前权利人:斯班逊有限公司变更后权利人:赛普拉斯半导体公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国加利福尼亚州
2007-04-25	公开	公开

共 15 条

[1]

适于覆盖半导体处理腔室的至少一部分内壁的上腔室衬垫 [P].

R·S·克拉克 ;

J·Z·Y·何 .

中国专利 :CN200988860Y ,2007-12-12

[2]

包括覆盖钝化层的一部分的覆盖保护层的半导体芯片 [P].

金尹熙 ;

金润圣 ;

裴秉文 ;

沈贤洙 .

韩国专利 :CN110718514B ,2025-11-21

[3]

包括覆盖钝化层的一部分的覆盖保护层的半导体芯片 [P].

金尹熙 ;

金润圣 ;

裴秉文 ;

沈贤洙 .

中国专利 :CN110718514A ,2020-01-21

[4]

用于半导体处理等离子反应器的多部分电极以及替换多部分电极的一部分的方法 [P].

安德烈亚斯·菲舍尔 ;

威廉·S·肯尼迪 ;

彼得·勒文哈尔特 ;

戴维·特吕塞尔 .

中国专利 :CN100442429C ,2005-08-31

[5]

用于向集成电路的一部分供应功率的装置和方法 [P].

S·德南 ;

M·约翰森 .

中国专利 :CN114595660A ,2022-06-07

[6]

用于向集成电路的一部分供应功率的装置和方法 [P].

S·德南 ;

M·约翰森 .

美国专利 :CN114595660B ,2025-06-17

[7]

在半导体衬底上形成存储器单元、高电压器件和逻辑器件的方法 [P].

贾卓强 ;

邢精成 ;

X·刘 ;

S·乔尔巴 ;

N·多 .

美国专利 :CN118923222A ,2024-11-08

[8]

选择性再缓冲并解码数据区块的一部分的方法与装置 [P].

林利莲 ;

陈炳盛 ;

陈世新 .

中国专利 :CN1848278A ,2006-10-18

[9]

形成至少一个导电元件的方法，形成半导体结构的方法，形成存储器单元的方法以及相关的半导体结构 [P].

山·D·唐 ;

斯科特·E·西里斯 ;

惠特尼·L·韦斯特 ;

罗布·B·古德温 ;

尼尚特·辛哈 .

中国专利 :CN103503116A ,2014-01-08

[10]

在衬底上形成具有存储器单元、高电压设备和逻辑设备的半导体设备的方法 [P].

宋国祥 ;

王春明 ;

邢精成 ;

X·刘 ;

N·多 .

美国专利 :CN115000072B ,2024-12-27