适于覆盖半导体处理腔室的至少一部分内壁的上腔室衬垫

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200620134727.X

申请日：

2006-08-21

公开(公告)号：

CN200988860Y

公开(公告)日：

2007-12-12

发明(设计)人：

R·S·克拉克 J·Z·Y·何

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

C23C400

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

赵蓉民

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-12	授权	授权
2016-09-28	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101680709334 IPC(主分类):C23C 4/00 专利号:ZL200620134727X 申请日:20060821 授权公告日:20071212 终止日期:无

共 50 条

[1]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114174554A ,2022-03-11

[2]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

美国专利 :CN114174554B ,2024-07-26

[3]

真空室和真空室的一部分 [P].

安德烈亚斯·穆勒 ;

迈克尔·韦斯特里希 ;

埃里克·安索奇 .

中国专利 :CN210423307U ,2020-04-28

[4]

半导体处理腔室和用于清洁所述半导体处理腔室的方法 [P].

V·K·潘迪 ;

V·普拉巴卡尔 ;

B·阿夫扎尔 ;

B·拉马穆尔蒂 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114207771A ,2022-03-18

[5]

用于半导体反应腔室的防护条及半导体反应腔室 [P].

田才忠 ;

余先炜 ;

王美玲 .

中国专利 :CN216698307U ,2022-06-07

[6]

用于半导体工艺腔室的上电极组件及该半导体工艺腔室 [P].

佀昊 ;

武小娟 ;

王春 ;

赵晋荣 .

中国专利 :CN115050627A ,2022-09-13

[7]

用于半导体工艺腔室的上电极组件及该半导体工艺腔室 [P].

佀昊 ;

武小娟 ;

王春 ;

赵晋荣 .

中国专利 :CN115050627B ,2025-09-16

[8]

用于半导体处理腔室的制品 [P].

邬笑炜 ;

J·Y·孙 ;

M·R·赖斯 .

中国专利 :CN213295503U ,2021-05-28

[9]

半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室 [P].

任晓滨 .

中国专利 :CN114171437A ,2022-03-11

[10]

半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室 [P].

任晓滨 .

中国专利 :CN114171437B ,2025-05-23

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