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包括覆盖钝化层的一部分的覆盖保护层的半导体芯片
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910613820.0
申请日：
2019-07-09
公开(公告)号：
CN110718514B
公开(公告)日：
2025-11-21
发明(设计)人：
金尹熙
金润圣
裴秉文
沈贤洙
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L23/31
IPC分类号：
H01L21/78
H01L21/683
H01L23/544
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
赵南;张帆
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-11-21 | 授权 | 授权 |