半导体器件用的保护层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00812764.6

申请日：

2000-03-15

公开(公告)号：

CN1373902A

公开(公告)日：

2002-10-09

发明(设计)人：

米泰克·巴考斯基克里斯托弗·哈里斯简·斯米迪特

申请人：

申请人地址：

瑞典基斯塔

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李德山

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-12-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-10-22	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃
2002-10-09	公开	公开
2002-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

具有硅胶保护层的半导体发光器件 [P].

江风益 ;

刘军林 ;

王立 .

中国专利 :CN102067337A ,2011-05-18

[2]

保护层用有机金属化合物、保护层、有机半导体层的加工方法以及有机半导体器件的制造方法 [P].

吉安唯 ;

竹田恭子 ;

高畑正利 ;

川上祥子 ;

铃木恒德 ;

佐佐木俊毅 ;

桥本直明 ;

青山智哉 .

日本专利 :CN117858868A ,2024-04-09

[3]

浪涌保护用半导体器件 [P].

大西一洋 .

中国专利 :CN101010809A ,2007-08-01

[4]

功率半导体器件的保护层及其制造方法 [P].

范雨婷 ;

干超 ;

曾大杰 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN118263193A ,2024-06-28

[5]

具有多个半导体层的半导体器件 [P].

苏莱施·温卡特森 ;

马克·C.·福伊希 ;

迈克尔·A.·门迪奇诺 ;

马瑞斯·K.·奥罗斯基 .

中国专利 :CN1973374A ,2007-05-30

[6]

半导体器件和形成牺牲保护层以在单体化期间保护半导体管芯边缘的方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 ;

方建敏 ;

冯霞 .

中国专利 :CN102683279A ,2012-09-19

[7]

半导体器件和使用对准层制造半导体器件的方法 [P].

O.布兰克 ;

F.希尔勒 ;

M.珀尔兹尔 ;

M.勒施 ;

叶俐君 .

中国专利 :CN105529256B ,2016-04-27

[8]

用于制造针对氢氟酸蚀刻的保护层的方法、设置有该保护层的半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

S·洛萨 ;

R·佩祖托 ;

R·坎佩代利 ;

M·阿兹佩提亚乌尔奎亚 ;

M·珀尔提 ;

L·埃斯波西托 .

中国专利 :CN104053626B ,2014-09-17

[9]

具有保护层的半导体发光元件 [P].

姚久琳 ;

吕志强 .

中国专利 :CN102130261A ,2011-07-20

[10]

具有保护层的半导体发光元件 [P].

姚久琳 ;

吕志强 .

中国专利 :CN104064636A ,2014-09-24

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