用于制造针对氢氟酸蚀刻的保护层的方法、设置有该保护层的半导体器件及制造该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280063151.0

申请日：

2012-10-29

公开(公告)号：

CN104053626B

公开(公告)日：

2014-09-17

发明(设计)人：

S·洛萨 R·佩祖托 R·坎佩代利 M·阿兹佩提亚乌尔奎亚 M·珀尔提 L·埃斯波西托

申请人：

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-17	公开	公开
2017-06-30	授权	授权
2014-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101589717881 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2012800631510 申请日:20121029

共 50 条

[1]

功率半导体器件的保护层及其制造方法 [P].

范雨婷 ;

干超 ;

曾大杰 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN118263193A ,2024-06-28

[2]

半导体器件用的保护层 [P].

米泰克·巴考斯基 ;

克里斯托弗·哈里斯 ;

简·斯米迪特 .

中国专利 :CN1373902A ,2002-10-09

[3]

保护层用有机金属化合物、保护层、有机半导体层的加工方法以及有机半导体器件的制造方法 [P].

吉安唯 ;

竹田恭子 ;

高畑正利 ;

川上祥子 ;

铃木恒德 ;

佐佐木俊毅 ;

桥本直明 ;

青山智哉 .

日本专利 :CN117858868A ,2024-04-09

[4]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

丸山友美 .

中国专利 :CN103359678A ,2013-10-23

[5]

半导体器件及用于制造该半导体器件的方法 [P].

洪文柱 .

韩国专利 :CN120264750A ,2025-07-04

[6]

用于制造半导体器件的方法及该半导体器件 [P].

R·克尔纳 ;

A·魏格尔 ;

H·J·门希 ;

B·施密特 .

德国专利 :CN117642946A ,2024-03-01

[7]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

北村卓也 ;

佐甲隆 .

中国专利 :CN1705128A ,2005-12-07

[8]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

徐勇源 .

中国专利 :CN101714529A ,2010-05-26

[9]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

李昌普 ;

孙瓘后 ;

吴俊锡 .

韩国专利 :CN113223971B ,2025-04-15

[10]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

爱场喜孝 ;

野本隆司 .

中国专利 :CN1697148A ,2005-11-16

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