半导体器件和形成牺牲保护层以在单体化期间保护半导体管芯边缘的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110058465.9

申请日：

2011-03-11

公开(公告)号：

CN102683279A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

林耀剑陈康方建敏冯霞

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01L2178

IPC分类号：

H01L2160 H01L2156 H01L23485 H01L2331

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

曲宝壮;蒋骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101349733676 IPC(主分类):H01L 21/78 专利申请号:2011100584659 申请日:20110311
2012-09-19	公开	公开
2015-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

在半导体管芯之间形成保护材料的半导体器件和方法 [P].

林宅基 ;

尹慈恩 ;

李成尹 .

中国专利 :CN102136457A ,2011-07-27

[2]

在衬底上形成保护层以在封装期间避免损坏的半导体器件和方法 [P].

李贤哲 ;

朴星焕 ;

金京焕 .

韩国专利 :CN120184099A ,2025-06-20

[3]

半导体器件和封装半导体管芯的方法 [P].

S.金努萨米 .

中国专利 :CN106409760B ,2017-02-15

[4]

在半导体管芯上形成支撑层的半导体器件和方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 ;

顾煜 .

中国专利 :CN111508853A ,2020-08-07

[5]

在半导体管芯上形成支撑层的半导体器件和方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 ;

顾煜 .

:CN111508853B ,2024-04-05

[6]

在半导体管芯上形成支撑层的半导体器件和方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 ;

顾煜 .

中国专利 :CN103715104A ,2014-04-09

[7]

半导体器件用的保护层 [P].

米泰克·巴考斯基 ;

克里斯托弗·哈里斯 ;

简·斯米迪特 .

中国专利 :CN1373902A ,2002-10-09

[8]

半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法 [P].

S.金努萨米 ;

K.辛普森 ;

M.C.科斯特罗 .

中国专利 :CN110112108A ,2019-08-09

[9]

半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法 [P].

S.金努萨米 ;

K.辛普森 ;

M.C.科斯特罗 .

中国专利 :CN107134438B ,2017-09-05

[10]

在半导体管芯周围形成EMI屏蔽层的半导体器件和方法 [P].

R.A.帕盖拉 ;

F.卡森 ;

尹胜煜 .

中国专利 :CN102270588B ,2011-12-07

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