在半导体管芯之间形成保护材料的半导体器件和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010542361.0

申请日：

2010-11-12

公开(公告)号：

CN102136457A

公开(公告)日：

2011-07-27

发明(设计)人：

林宅基尹慈恩李成尹

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01L2198

IPC分类号：

H01L2156 H01L2160 H01L2500 H01L23498 H01L2328

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李娜;王洪斌

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-23	授权	授权
2011-07-27	公开	公开
2012-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101341309778 IPC(主分类):H01L 21/98 专利申请号:2010105423610 申请日:20101112

共 50 条

[1]

半导体器件和封装半导体管芯的方法 [P].

S.金努萨米 .

中国专利 :CN106409760B ,2017-02-15

[2]

半导体器件和形成牺牲保护层以在单体化期间保护半导体管芯边缘的方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 ;

方建敏 ;

冯霞 .

中国专利 :CN102683279A ,2012-09-19

[3]

在半导体管芯和载体上形成粘合材料的方法和半导体器件 [P].

R.A.帕盖拉 .

中国专利 :CN102386108B ,2012-03-21

[4]

在半导体管芯上形成支撑层的半导体器件和方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 ;

顾煜 .

中国专利 :CN103715104A ,2014-04-09

[5]

在半导体管芯上形成支撑层的半导体器件和方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 ;

顾煜 .

中国专利 :CN111508853A ,2020-08-07

[6]

在半导体管芯上形成支撑层的半导体器件和方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 ;

顾煜 .

:CN111508853B ,2024-04-05

[7]

半导体器件及形成半导体器件的方法 [P].

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

安东·毛德 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 .

中国专利 :CN102956680A ,2013-03-06

[8]

结合晶片级不同尺寸半导体管芯的方法和半导体器件 [P].

具俊谟 ;

P·C·马里穆图 ;

S·W·尹 ;

沈一权 .

中国专利 :CN102543772B ,2012-07-04

[9]

半导体器件以及用于形成多个半导体器件的方法 [P].

奥利弗·黑尔蒙德 ;

约翰内斯·鲍姆加特尔 ;

曼弗雷德·恩格尔哈特 ;

伊里斯·莫德 ;

英戈·穆里 .

中国专利 :CN107403756A ,2017-11-28

[10]

在半导体管芯周围形成EMI屏蔽层的半导体器件和方法 [P].

R.A.帕盖拉 ;

F.卡森 ;

尹胜煜 .

中国专利 :CN102270588B ,2011-12-07

← 1 2 3 4 5 →