结合晶片级不同尺寸半导体管芯的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110349177.9

申请日：

2011-09-29

公开(公告)号：

CN102543772B

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

具俊谟 P·C·马里穆图 S·W·尹沈一权

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

H01L21768 H01L23522 H01L2328

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘春元;王忠忠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-02	授权	授权
2013-10-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101526533212 IPC(主分类):H01L 21/56 专利申请号:2011103491779 申请日:20110929
2012-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和封装半导体管芯的方法 [P].

S.金努萨米 .

中国专利 :CN106409760B ,2017-02-15

[2]

半导体晶片、半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

田中浩治 ;

矶崎诚也 .

中国专利 :CN101546736A ,2009-09-30

[3]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

[4]

半导体晶片和半导体器件 [P].

内藤宽 .

中国专利 :CN2932616Y ,2007-08-08

[5]

加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件 [P].

C·范柯林斯基 ;

D·佩多内 ;

M·皮钦 ;

R·鲁普 ;

戴秋莉 ;

黄佳艺 .

中国专利 :CN113451155A ,2021-09-28

[6]

加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件 [P].

C·范柯林斯基 ;

D·佩多内 ;

M·皮钦 ;

R·鲁普 ;

戴秋莉 ;

黄佳艺 .

:CN113451155B ,2025-12-16

[7]

处理半导体晶片的方法、半导体晶片以及半导体器件 [P].

菲利普·雷诺 ;

罗兰德·塞拉诺 .

中国专利 :CN103109350A ,2013-05-15

[8]

半导体器件、半导体晶片结构和形成半导体晶片结构的方法 [P].

H.赫斯肯 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

W.瓦格纳 .

中国专利 :CN104347524A ,2015-02-11

[9]

半导体器件制造方法和半导体晶片 [P].

义田卓司 .

中国专利 :CN108364865A ,2018-08-03

[10]

半导体晶片、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

大黑达也 .

中国专利 :CN1866529A ,2006-11-22

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