用于监视半导体晶片的薄化的原位测量晶片厚度的监视设备和方法、以及包括湿蚀刻设备和监视设备的薄化设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180005028.9

申请日：

2011-01-10

公开(公告)号：

CN102686973A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

克劳斯·杜斯蒙德马丁·斯科恩勒伯伯特霍尔德·米歇尔特克里斯多夫·迪茨

申请人：

申请人地址：

德国罗德高

IPC主分类号：

G01B1106

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

韩明星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346521440 IPC(主分类):G01B 11/06 专利申请号:2011800050289 申请日:20110110
2015-11-25	授权	授权
2012-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

监视设备、监视方法、抛光装置和半导体晶片的制造方法 [P].

杉山喜和 ;

大内泰司 .

中国专利 :CN1425190A ,2003-06-18

[2]

薄型半导体晶片和减薄半导体晶片的方法 [P].

M·J·瑟登 .

中国专利 :CN101673679A ,2010-03-17

[3]

薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置 [P].

泉直史 .

中国专利 :CN114846585A ,2022-08-02

[4]

薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置 [P].

泉直史 .

中国专利 :CN114667595A ,2022-06-24

[5]

监视设备和用于监视系统的方法 [P].

T.胡鲍尔 ;

M.林格斯宽尔 .

中国专利 :CN111033413A ,2020-04-17

[6]

设备监视装置以及设备的运行监视方法 [P].

大崎畅久 ;

清水胜人 ;

田丸健一 ;

山口浩介 .

中国专利 :CN101320270A ,2008-12-10

[7]

用于容纳监视装置的设备和包括该设备的监视单元 [P].

尼古拉斯·约瑟夫·墨菲 ;

大卫·巴里·墨菲 .

中国专利 :CN102804054A ,2012-11-28

[8]

用以蚀刻半导体晶片的设备 [P].

D·卢博米尔斯基 ;

T·F·谭 ;

崔伦 .

中国专利 :CN102027587A ,2011-04-20

[9]

用于监视设备的改善测量的设备和方法 [P].

H.A.克拉宁唐 ;

L.K.默里 .

中国专利 :CN103201618B ,2013-07-10

[10]

监视多个联网设备的监视装置、设备监视系统和方法 [P].

尤金·帕斯卡·赫尔佐格 .

中国专利 :CN108270772A ,2018-07-10

← 1 2 3 4 5 →