监视设备、监视方法、抛光装置和半导体晶片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00818647.2

申请日：

2000-12-19

公开(公告)号：

CN1425190A

公开(公告)日：

2003-06-18

发明(设计)人：

杉山喜和大内泰司

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

B24B3704

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-13	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2003-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-06-18	公开	公开
2005-04-06	授权	授权

共 50 条

[1]

抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

石川彰 ;

潮嘉次郎 .

中国专利 :CN101791781B ,2010-08-04

[2]

抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

石川彰 ;

潮嘉次郎 .

中国专利 :CN1500290A ,2004-05-26

[3]

半导体晶片抛光装置和抛光方法 [P].

P·D·阿尔布雷克特 ;

Z·郭强 .

中国专利 :CN102046331A ,2011-05-04

[4]

半导体晶片,抛光装置和方法 [P].

E·博维奥 ;

P·科尔贝利尼 ;

M·莫尔甘蒂 ;

G·内格里 ;

P·D·阿尔布雷克特 .

中国专利 :CN1461251A ,2003-12-10

[5]

用于监视半导体晶片的薄化的原位测量晶片厚度的监视设备和方法、以及包括湿蚀刻设备和监视设备的薄化设备 [P].

克劳斯·杜斯蒙德 ;

马丁·斯科恩勒伯 ;

伯特霍尔德·米歇尔特 ;

克里斯多夫·迪茨 .

中国专利 :CN102686973A ,2012-09-19

[6]

未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法 [P].

W·亨泽尔 ;

R·莱纳 ;

H·施文克 .

中国专利 :CN1941290A ,2007-04-04

[7]

抛光半导体晶片的方法和设备 [P].

G·艾森斯托克 ;

J·C·托马斯 .

中国专利 :CN101678529B ,2010-03-24

[8]

半导体晶片的制造方法和半导体晶片 [P].

金子忠昭 ;

大谷升 ;

牛尾昌史 ;

安达步 ;

野上晓 .

中国专利 :CN103857835A ,2014-06-11

[9]

半导体晶片的抛光方法和装置 [P].

保罗·米勒 ;

海因里希·亨恩赫费尔 ;

曼弗雷德·图尔纳 ;

托马斯·希施赫尔特 ;

弗朗茨·芒斯 ;

克劳斯·勒特格 .

中国专利 :CN1185028A ,1998-06-17

[10]

半导体装置制造方法和半导体晶片 [P].

太田祐一 ;

喜多贤太郎 ;

大浦雄大 ;

吉田宏平 .

中国专利 :CN106920769A ,2017-07-04

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