半导体晶片的抛光方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97118946.3

申请日：

1997-09-29

公开(公告)号：

CN1185028A

公开(公告)日：

1998-06-17

发明(设计)人：

保罗·米勒海因里希·亨恩赫费尔曼弗雷德·图尔纳托马斯·希施赫尔特弗朗茨·芒斯克劳斯·勒特格

申请人：

申请人地址：

联邦德国布格豪森

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

B28D500 B24B2900

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

刘兴鹏

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-31	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):B24B 37/04 申请日:19970929 授权公告日:20031008
1998-06-17	公开	公开
2003-10-08	授权	授权
1998-03-18	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-08-04	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:瓦克硅电子股份公司变更后:硅电子股份公司变更事项:地址变更前:联邦德国布格豪森变更后:联邦德国慕尼黑

共 50 条

[1]

半导体晶片抛光装置和抛光方法 [P].

P·D·阿尔布雷克特 ;

Z·郭强 .

中国专利 :CN102046331A ,2011-05-04

[2]

半导体晶片,抛光装置和方法 [P].

E·博维奥 ;

P·科尔贝利尼 ;

M·莫尔甘蒂 ;

G·内格里 ;

P·D·阿尔布雷克特 .

中国专利 :CN1461251A ,2003-12-10

[3]

使用双面抛光装置的半导体晶片抛光方法 [P].

谷口彻 ;

小野五十六 ;

原田晴司 .

中国专利 :CN1441713A ,2003-09-10

[4]

抛光半导体晶片的方法 [P].

A·海尔迈尔 ;

V·杜奇克 ;

L·米斯图尔 ;

T·奥尔布里希 ;

D·迈尔 ;

V·吴 .

中国专利 :CN111683792B ,2020-09-18

[5]

抛光半导体晶片的方法 [P].

贡特尔·H·卡恩 ;

马库斯·施纳普奥夫 ;

克里斯托夫·韦伯 .

中国专利 :CN1610069A ,2005-04-27

[6]

未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法 [P].

W·亨泽尔 ;

R·莱纳 ;

H·施文克 .

中国专利 :CN1941290A ,2007-04-04

[7]

半导体晶片的双面抛光方法 [P].

久保田真美 ;

福原史也 ;

三浦友纪 .

中国专利 :CN110235225B ,2019-09-13

[8]

抛光垫及抛光半导体晶片的方法 [P].

青井裕美 ;

志保浩司 ;

长谷川亨 ;

川桥信夫 .

中国专利 :CN1569398A ,2005-01-26

[9]

抛光半导体晶片的方法和设备 [P].

G·艾森斯托克 ;

J·C·托马斯 .

中国专利 :CN101678529B ,2010-03-24

[10]

抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102049723A ,2011-05-11

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