抛光半导体晶片的方法和设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880017964.X

申请日：

2008-05-27

公开(公告)号：

CN101678529B

公开(公告)日：

2010-03-24

发明(设计)人：

G·艾森斯托克 J·C·托马斯

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

B24B3704

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

沙永生;周承泽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-27	授权	授权
2015-07-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101617154058 IPC(主分类):B24B 37/04 专利号:ZL200880017964X 申请日:20080527 授权公告日:20130227 终止日期:20140527
2010-03-24	公开	公开
2010-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003681001 IPC(主分类):B24B 37/04 专利申请号:200880017964X 申请日:20080527

共 50 条

[1]

未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法 [P].

W·亨泽尔 ;

R·莱纳 ;

H·施文克 .

中国专利 :CN1941290A ,2007-04-04

[2]

半导体晶片抛光装置和抛光方法 [P].

P·D·阿尔布雷克特 ;

Z·郭强 .

中国专利 :CN102046331A ,2011-05-04

[3]

半导体晶片的抛光方法和装置 [P].

保罗·米勒 ;

海因里希·亨恩赫费尔 ;

曼弗雷德·图尔纳 ;

托马斯·希施赫尔特 ;

弗朗茨·芒斯 ;

克劳斯·勒特格 .

中国专利 :CN1185028A ,1998-06-17

[4]

抛光半导体晶片的方法 [P].

A·海尔迈尔 ;

V·杜奇克 ;

L·米斯图尔 ;

T·奥尔布里希 ;

D·迈尔 ;

V·吴 .

中国专利 :CN111683792B ,2020-09-18

[5]

抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102049723A ,2011-05-11

[6]

抛光半导体晶片的方法 [P].

K·勒特格 ;

A·海尔迈尔 ;

L·米斯图尔 ;

田畑诚 ;

V·杜奇克 ;

T·奥尔布里希 .

中国专利 :CN103846780A ,2014-06-11

[7]

抛光半导体晶片的方法 [P].

贡特尔·H·卡恩 ;

马库斯·施纳普奥夫 ;

克里斯托夫·韦伯 .

中国专利 :CN1610069A ,2005-04-27

[8]

半导体晶片,抛光装置和方法 [P].

E·博维奥 ;

P·科尔贝利尼 ;

M·莫尔甘蒂 ;

G·内格里 ;

P·D·阿尔布雷克特 .

中国专利 :CN1461251A ,2003-12-10

[9]

半导体晶片测试设备和测试半导体晶片的方法 [P].

棚町隆弘 .

中国专利 :CN101013677A ,2007-08-08

[10]

包括同时抛光衬底晶片的正面和反面的抛光半导体晶片的方法 [P].

A·海尔迈尔 ;

L·米斯图尔 ;

K·勒特格 ;

田畑诚 .

中国专利 :CN103839798A ,2014-06-04

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