抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00804131.8

申请日：

2000-12-19

公开(公告)号：

CN1500290A

公开(公告)日：

2004-05-26

发明(设计)人：

石川彰潮嘉次郎

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

B24B3704 G01B1100

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杜日新

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-05-26	公开	公开
2010-08-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101003743934 IPC(主分类):H01L 21/304 专利申请号:008041318 公开日:20040526
2004-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

石川彰 ;

潮嘉次郎 .

中国专利 :CN101791781B ,2010-08-04

[2]

监视设备、监视方法、抛光装置和半导体晶片的制造方法 [P].

杉山喜和 ;

大内泰司 .

中国专利 :CN1425190A ,2003-06-18

[3]

抛光体、抛光装置、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

星野进 ;

菅谷功 .

中国专利 :CN100362630C ,2005-08-31

[4]

半导体器件制造方法和抛光装置 [P].

小寺雅子 .

中国专利 :CN101009240A ,2007-08-01

[5]

半导体器件的制造方法、抛光方法及抛光装置 [P].

白数哲哉 .

中国专利 :CN1841671A ,2006-10-04

[6]

抛光装置和半导体器件的制造方法 [P].

安宰仁 ;

尹钟旭 ;

郑恩先 ;

徐章源 .

中国专利 :CN115703209A ,2023-02-17

[7]

抛光体、CMP抛光设备及半导体器件制造方法 [P].

星野进 ;

宇田丰 ;

菅谷功 .

中国专利 :CN1224082C ,2004-05-05

[8]

抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件 [P].

张洁 ;

林武庆 ;

陈文鹏 ;

叶智荃 .

中国专利 :CN110653720B ,2020-01-07

[9]

抛光浆料和制造半导体器件的方法 [P].

郑文一 ;

金度润 ;

高井健次 ;

文得圭 ;

尹民希 .

韩国专利 :CN112812691B ,2024-04-09

[10]

抛光浆料和制造半导体器件的方法 [P].

高允锡 ;

李政勋 ;

池尚洙 ;

F·卡利尼纳 ;

李昡在 .

韩国专利 :CN119875513A ,2025-04-25

← 1 2 3 4 5 →