薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置

被引：0

申请号：

CN202180007423.4

申请日：

2021-03-10

公开(公告)号：

CN114846585A

公开(公告)日：

2022-08-02

发明(设计)人：

泉直史

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

B23K2653 H01L21683

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

张晶;刘余婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20210310
2022-08-02	公开	公开

共 50 条

[1]

薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置 [P].

泉直史 .

中国专利 :CN114667595A ,2022-06-24

[2]

薄型半导体晶片和减薄半导体晶片的方法 [P].

M·J·瑟登 .

中国专利 :CN101673679A ,2010-03-17

[3]

薄晶片处理结构及薄晶片接合及剥离的方法 [P].

余振华 ;

许国经 ;

陈承先 ;

萧景文 .

中国专利 :CN101937880A ,2011-01-05

[4]

元件晶片和元件晶片的制造方法 [P].

奥村美香 ;

堀川牧夫 ;

佐藤公敏 ;

山口靖雄 .

中国专利 :CN101539586A ,2009-09-23

[5]

外延晶片的制造方法及其制造装置 [P].

和田直之 .

中国专利 :CN110277304A ,2019-09-24

[6]

非抛光玻璃晶片、使用非抛光玻璃晶片减薄半导体晶片的减薄系统和方法 [P].

S·R·马卡姆 ;

W·P·托马斯三世 .

中国专利 :CN103597578B ,2014-02-19

[7]

用于监视半导体晶片的薄化的原位测量晶片厚度的监视设备和方法、以及包括湿蚀刻设备和监视设备的薄化设备 [P].

克劳斯·杜斯蒙德 ;

马丁·斯科恩勒伯 ;

伯特霍尔德·米歇尔特 ;

克里斯多夫·迪茨 .

中国专利 :CN102686973A ,2012-09-19

[8]

晶片的减薄方法 [P].

谢红梅 ;

刘煊杰 .

中国专利 :CN102820218B ,2012-12-12

[9]

通过隐形激光照射薄化的半导体晶片 [P].

罗志强 ;

周福佑 ;

R·哈纳皮 ;

林文秀 .

中国专利 :CN113964177A ,2022-01-21

[10]

通过隐形激光照射薄化的半导体晶片 [P].

罗志强 ;

周福佑 ;

R·哈纳皮 ;

林文秀 .

美国专利 :CN113964177B ,2024-11-26

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