薄晶片处理结构及薄晶片接合及剥离的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010218125.3

申请日：

2010-06-28

公开(公告)号：

CN101937880A

公开(公告)日：

2011-01-05

发明(设计)人：

余振华许国经陈承先萧景文

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2300

IPC分类号：

H01L2120 H01L2178

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;邢雪红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-05	公开	公开
2013-04-03	授权	授权

共 50 条

[1]

薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置 [P].

泉直史 .

中国专利 :CN114846585A ,2022-08-02

[2]

薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置 [P].

泉直史 .

中国专利 :CN114667595A ,2022-06-24

[3]

薄型半导体晶片和减薄半导体晶片的方法 [P].

M·J·瑟登 .

中国专利 :CN101673679A ,2010-03-17

[4]

晶片处理装置及晶片处理方法 [P].

辻本正树 ;

吉冈孝久 ;

小林贤治 .

中国专利 :CN1943025A ,2007-04-04

[5]

晶片的减薄方法 [P].

谢红梅 ;

刘煊杰 .

中国专利 :CN102820218B ,2012-12-12

[6]

非抛光玻璃晶片、使用非抛光玻璃晶片减薄半导体晶片的减薄系统和方法 [P].

S·R·马卡姆 ;

W·P·托马斯三世 .

中国专利 :CN103597578B ,2014-02-19

[7]

晶片处理系统及制造晶片的方法 [P].

凯文·P·费尔贝恩 ;

哈里·蓬内坎蒂 ;

克里斯托弗·莱恩 ;

罗伯特·爱德华·韦斯 ;

伊恩·拉奇福特 ;

特里·布卢克 .

中国专利 :CN101208454A ,2008-06-25

[8]

薄晶片处理的多粘合层 [P].

R.普利吉达 ;

X-F.钟 ;

T.D.弗莱 ;

J.麦卡琴 .

中国专利 :CN104022016B ,2014-09-03

[9]

薄晶片处理的多粘合层 [P].

R·普利吉达 ;

X-F·钟 ;

T·D·弗莱 ;

J·麦卡琴 .

中国专利 :CN103155100A ,2013-06-12

[10]

一种晶片剥离装置、系统及控制晶片剥离的装置 [P].

朱刘 ;

刘留 .

中国专利 :CN104051308A ,2014-09-17

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