薄晶片处理的多粘合层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180047933.0

申请日：

2011-08-05

公开(公告)号：

CN103155100A

公开(公告)日：

2013-06-12

发明(设计)人：

R·普利吉达 X-F·钟 T·D·弗莱 J·麦卡琴

申请人：

申请人地址：

美国密苏里州

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

钱慰民

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	公开	公开
2013-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101506521930 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2011800479330 申请日:20110805
2016-08-03	授权	授权

共 50 条

[1]

薄晶片处理的多粘合层 [P].

R.普利吉达 ;

X-F.钟 ;

T.D.弗莱 ;

J.麦卡琴 .

中国专利 :CN104022016B ,2014-09-03

[2]

薄晶片处理结构及薄晶片接合及剥离的方法 [P].

余振华 ;

许国经 ;

陈承先 ;

萧景文 .

中国专利 :CN101937880A ,2011-01-05

[3]

用于薄晶片处理的可移动真空载具 [P].

D·X·王 ;

M·M·穆斯利赫 .

中国专利 :CN102754199A ,2012-10-24

[4]

晶片的减薄方法 [P].

谢红梅 ;

刘煊杰 .

中国专利 :CN102820218B ,2012-12-12

[5]

薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置 [P].

泉直史 .

中国专利 :CN114846585A ,2022-08-02

[6]

薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置 [P].

泉直史 .

中国专利 :CN114667595A ,2022-06-24

[7]

薄型半导体晶片和减薄半导体晶片的方法 [P].

M·J·瑟登 .

中国专利 :CN101673679A ,2010-03-17

[8]

半导体晶片的键合减薄优化方法 [P].

王娉婷 ;

奚民伟 .

中国专利 :CN104658927B ,2015-05-27

[9]

具有本征半导体层的晶片 [P].

N·达瓦尔 ;

C·奥尔奈特 ;

B-Y·阮 .

中国专利 :CN102709251B ,2012-10-03

[10]

晶片表面材料层的处理系统和方法 [P].

吴汉明 ;

张春光 .

中国专利 :CN101329984A ,2008-12-24

← 1 2 3 4 5 →