提高SONOS闪存可靠性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210313051.0

申请日：

2012-08-29

公开(公告)号：

CN102800584A

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

包德君莘海维徐爱斌

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-28	公开	公开
2014-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588056520 IPC(主分类):H01L 21/324 专利申请号:2012103130510 申请日:20120829
2017-10-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/324 申请公布日:20121128
2014-05-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701192638 IPC(主分类):H01L 21/324 专利申请号:2012103130510 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140430

共 50 条

[1]

提高SONOS闪存器件可靠性的方法 [P].

林钢 .

中国专利 :CN102005415A ,2011-04-06

[2]

采用ND3退火来提高SONOS闪存器件可靠性的方法 [P].

林钢 .

中国专利 :CN101872746A ,2010-10-27

[3]

一种改善SONOS闪存器件可靠性的方法 [P].

孙勤 .

中国专利 :CN105552034A ,2016-05-04

[4]

利用选择性外延提升SONOS闪存器件可靠性的方法 [P].

杨欣 ;

孙勤 .

中国专利 :CN102117779A ,2011-07-06

[5]

利用臭氧氧化来提升SONOS闪存器件可靠性的方法 [P].

杨欣 ;

孙勤 .

中国专利 :CN102117778A ,2011-07-06

[6]

改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法 [P].

刘继全 ;

孙勤 .

中国专利 :CN103633030A ,2014-03-12

[7]

提高闪存资料存取可靠性的方法 [P].

谢仁伟 ;

郭大维 ;

谢享奇 .

中国专利 :CN101256521A ,2008-09-03

[8]

提高SONOS存储器可靠性的方法 [P].

陈冬 ;

刘政红 ;

齐瑞生 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN115000076A ,2022-09-02

[9]

一种提高闪存可靠性的方法 [P].

庄志青 ;

黄明 .

中国专利 :CN102063936A ,2011-05-18

[10]

提高NVM可靠性的方法 [P].

许丹 .

中国专利 :CN103295649A ,2013-09-11

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