半导体装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610849513.9

申请日：

2016-09-23

公开(公告)号：

CN107026216A

公开(公告)日：

2017-08-08

发明(设计)人：

葛西大树

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L3110

IPC分类号：

H01L31105 H01L27146

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

舒艳君;李洋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-22	授权	授权
2018-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/10 申请日:20160923
2017-08-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置、半导体部件以及半导体装置的制造方法 [P].

指田和之 ;

山地瑞枝 ;

吉田贤一 ;

铃木健一 ;

九里伸治 .

中国专利 :CN111448463B ,2020-07-24

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

栃林克明 ;

方堂凉太 .

中国专利 :CN111742414A ,2020-10-02

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

进藤正典 .

中国专利 :CN113224023A ,2021-08-06

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

玉利健 ;

樱井大辅 ;

糸井清一 .

中国专利 :CN113690198A ,2021-11-23

[5]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

小松大辉 .

日本专利 :CN120813029A ,2025-10-17

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

长谷川浩史 .

日本专利 :CN120812999A ,2025-10-17

[7]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宫本佳典 ;

冈部德太郎 ;

鹿儿岛优也 ;

东谷圭介 ;

尾崎千明 .

中国专利 :CN110364414A ,2019-10-22

[8]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

藤井严 ;

高桥绘里香 .

中国专利 :CN101174675A ,2008-05-07

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

北田瑞枝 ;

浅田毅 ;

山口武司 ;

铃木教章 ;

新井大辅 .

中国专利 :CN108292682A ,2018-07-17

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

冈部达 ;

田中哲宪 ;

家根田刚士 .

中国专利 :CN110476255A ,2019-11-19

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