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蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010692644.7
申请日：
2020-07-17
公开(公告)号：
CN112242301A
公开(公告)日：
2021-01-19
发明(设计)人：
阿部知央
佐佐木俊行
林久贵
大村光広
今村翼
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L21311
IPC分类号：
H01J3732
代理机构：
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人：
张世俊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-02-05 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20200717 |
| 2021-01-19 | 公开 | 公开 |