半导体制造装置及半导体制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210476350.6

申请日：

2012-11-21

公开(公告)号：

CN103137468B

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

申平洙金秉勳

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01J3732

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

刘宗杰;钟锦舜

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-04	授权	授权
2013-06-05	公开	公开
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486727528 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2012104763506 申请日:20121121

共 50 条

[1]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

申平洙 ;

金秉勳 .

中国专利 :CN103137415A ,2013-06-05

[2]

半导体制造装置、半导体制造工厂及半导体制造方法 [P].

南出由生 ;

和田直之 .

日本专利 :CN120418927A ,2025-08-01

[3]

半导体制造方法及半导体制造装置 [P].

川崎辉尚 ;

青柳克信 ;

黒濑范子 .

中国专利 :CN112640046A ,2021-04-09

[4]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

广濑治 .

中国专利 :CN104900562A ,2015-09-09

[5]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

丹羽恵一 .

中国专利 :CN110310902A ,2019-10-08

[6]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

田中博司 .

中国专利 :CN111092028A ,2020-05-01

[7]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

岩田亨 .

日本专利 :CN120048751A ,2025-05-27

[8]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

清水和宏 ;

秋山肇 ;

保田直纪 .

中国专利 :CN1921071B ,2007-02-28

[9]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

川田原奖 .

中国专利 :CN115020271A ,2022-09-06

[10]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

田中博司 .

中国专利 :CN111092029A ,2020-05-01

← 1 2 3 4 5 →