半导体制造装置及半导体制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810847558.1
申请日
2018-07-27
公开(公告)号
CN110310902A
公开(公告)日
2019-10-08
发明(设计)人
丹羽恵一
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
H01L2160
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
杨林勳
法律状态
著录事项变更
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体制造装置、半导体制造工厂及半导体制造方法 [P]. 
南出由生 ;
和田直之 .
日本专利 :CN120418927A ,2025-08-01
[2]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
申平洙 ;
金秉勳 .
中国专利 :CN103137468B ,2013-06-05
[3]
半导体制造方法及半导体制造装置 [P]. 
川崎辉尚 ;
青柳克信 ;
黒濑范子 .
中国专利 :CN112640046A ,2021-04-09
[4]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
申平洙 ;
金秉勳 .
中国专利 :CN103137415A ,2013-06-05
[5]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
广濑治 .
中国专利 :CN104900562A ,2015-09-09
[6]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
田中博司 .
中国专利 :CN111092028A ,2020-05-01
[7]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
岩田亨 .
日本专利 :CN120048751A ,2025-05-27
[8]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
清水和宏 ;
秋山肇 ;
保田直纪 .
中国专利 :CN1921071B ,2007-02-28
[9]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
川田原奖 .
中国专利 :CN115020271A ,2022-09-06
[10]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
田中博司 .
中国专利 :CN111092029A ,2020-05-01