一种高透明和低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710574815.4
申请日
2017-07-14
公开(公告)号
CN109251333A
公开(公告)日
2019-01-22
发明(设计)人
封伟 尹晓东 冯奕钰
申请人
申请人地址
300072 天津市南开区卫津路92号
IPC主分类号
C08J518
IPC分类号
C08L7908 C08G7310
代理机构
天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214
代理人
王秀奎
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
熊武 .
中国专利 :CN118546365A ,2024-08-27
[2]
一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
孙善卫 ;
潘成 ;
胡程鹏 ;
杨景红 ;
梅亚平 .
中国专利 :CN116554475B ,2025-08-29
[3]
低介电高导热聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
朱凌云 ;
王振宇 ;
汪英 ;
任小龙 .
中国专利 :CN113234244A ,2021-08-10
[4]
一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
刘国隆 ;
徐哲 .
中国专利 :CN116284900B ,2025-09-12
[5]
一种低介电性聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
汪英 ;
朱凌云 ;
任小龙 ;
王振宇 .
中国专利 :CN113121857A ,2021-07-16
[6]
低介电高绝缘强度聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
任小龙 ;
王振宇 ;
朱凌云 ;
汪英 .
中国专利 :CN113234245A ,2021-08-10
[7]
一种聚酰亚胺共聚物及透明低介电聚酰亚胺薄膜 [P]. 
李智文 ;
李桂林 ;
朱红芳 .
中国专利 :CN118406233A ,2024-07-30
[8]
一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
孙善卫 ;
史声宇 ;
陈铸红 ;
史恩台 .
中国专利 :CN114085398B ,2024-02-06
[9]
一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
苏敬华 ;
方超 ;
潘成 ;
孙善卫 .
中国专利 :CN114196063A ,2022-03-18
[10]
一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
孙善卫 ;
史声宇 ;
陈铸红 ;
史恩台 .
中国专利 :CN114085398A ,2022-02-25