一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310075467.1

申请日：

2023-02-07

公开(公告)号：

CN116284900B

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

刘国隆徐哲

申请人：

浙江中科玖源新材料有限公司

申请人地址：

321100 浙江省金华市兰溪市兰江街道兰溪经济开发区光膜小镇

IPC主分类号：

C08J5/18

IPC分类号：

C08L79/08 C08K9/04 C08K3/04

代理机构：

合肥金律专利代理事务所(普通合伙) 34184

代理人：

杨霞

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-12	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

熊武 .

中国专利 :CN118546365A ,2024-08-27

[2]

一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法、应用 [P].

刘国隆 ;

胡涛 ;

邵成蒙 .

中国专利 :CN114479076A ,2022-05-13

[3]

一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

孙善卫 ;

潘成 ;

胡程鹏 ;

杨景红 ;

梅亚平 .

中国专利 :CN116554475B ,2025-08-29

[4]

低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法与应用 [P].

田国峰 ;

王健华 ;

武德珍 ;

齐胜利 .

中国专利 :CN111961236A ,2020-11-20

[5]

一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

苏敬华 ;

方超 ;

潘成 ;

孙善卫 .

中国专利 :CN114196063A ,2022-03-18

[6]

高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法、薄膜电容器 [P].

王翔 ;

姜星武 .

中国专利 :CN119331285A ,2025-01-21

[7]

一种高透明和低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法 [P].

封伟 ;

尹晓东 ;

冯奕钰 .

中国专利 :CN109251333A ,2019-01-22

[8]

一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

王启民 ;

陈子豪 ;

张腾飞 .

中国专利 :CN112409595B ,2021-02-26

[9]

一种高导热低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

孙善卫 ;

徐宝羚 ;

庞冲 ;

方超 .

中国专利 :CN116285347B ,2024-12-20

[10]

一种高强度低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

孙善卫 ;

潘士泉 ;

方超 .

中国专利 :CN114479456A ,2022-05-13

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