一种高强度低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202111632402.X

申请日：

2021-12-28

公开(公告)号：

CN114479456A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

孙善卫潘士泉方超

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市高新区铭传路1000号

IPC主分类号：

C08L7908

IPC分类号：

C08L6122 C08J518 C08G1204 C08G7310

代理机构：

合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119

代理人：

余婧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-13	公开	公开
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08L 79/08 申请日:20211228

共 50 条

[1]

一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

孙善卫 ;

潘成 ;

胡程鹏 ;

杨景红 ;

梅亚平 .

中国专利 :CN116554475B ,2025-08-29

[2]

一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

苏敬华 ;

方超 ;

潘成 ;

孙善卫 .

中国专利 :CN114196063A ,2022-03-18

[3]

一种高强度聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

倪波 ;

陈超 .

中国专利 :CN117534862A ,2024-02-09

[4]

一种高强度聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

倪波 ;

陈超 .

中国专利 :CN117534862B ,2024-07-30

[5]

一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

孙善卫 ;

史声宇 ;

陈铸红 ;

史恩台 .

中国专利 :CN114085398B ,2024-02-06

[6]

一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

孙善卫 ;

史声宇 ;

陈铸红 ;

史恩台 .

中国专利 :CN114085398A ,2022-02-25

[7]

一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法、应用 [P].

刘国隆 ;

胡涛 ;

邵成蒙 .

中国专利 :CN114479076A ,2022-05-13

[8]

一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

刘国隆 ;

徐哲 .

中国专利 :CN116284900B ,2025-09-12

[9]

一种高强度高导热聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法 [P].

方晓栋 ;

宋丽英 .

中国专利 :CN111269571A ,2020-06-12

[10]

一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

梁力 .

中国专利 :CN113527735A ,2021-10-22

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