一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111516368.X
申请日
2021-12-08
公开(公告)号
CN114196063A
公开(公告)日
2022-03-18
发明(设计)人
苏敬华 方超 潘成 孙善卫
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市高新区铭传路1000号
IPC主分类号
C08J928
IPC分类号
C08J518 C08L7908 C08K902 C08K304 C08G7310
代理机构
合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119
代理人
余婧
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
孙善卫 ;
史声宇 ;
陈铸红 ;
史恩台 .
中国专利 :CN114085398B ,2024-02-06
[2]
一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
孙善卫 ;
史声宇 ;
陈铸红 ;
史恩台 .
中国专利 :CN114085398A ,2022-02-25
[3]
一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
梁力 .
中国专利 :CN113527735A ,2021-10-22
[4]
一种高强度低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
孙善卫 ;
潘士泉 ;
方超 .
中国专利 :CN114479456A ,2022-05-13
[5]
一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
孙善卫 ;
潘成 ;
胡程鹏 ;
杨景红 ;
梅亚平 .
中国专利 :CN116554475B ,2025-08-29
[6]
一种低介电性聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
汪英 ;
朱凌云 ;
任小龙 ;
王振宇 .
中国专利 :CN113121857A ,2021-07-16
[7]
低介电高导热聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
朱凌云 ;
王振宇 ;
汪英 ;
任小龙 .
中国专利 :CN113234244A ,2021-08-10
[8]
一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
刘国隆 ;
徐哲 .
中国专利 :CN116284900B ,2025-09-12
[9]
一种低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法 [P]. 
莫传群 ;
戴培邦 ;
吴冬梅 ;
赵伟 ;
马传国 .
中国专利 :CN110982103A ,2020-04-10
[10]
一种低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法 [P]. 
陈颖 ;
刘佳音 ;
刘亦武 .
中国专利 :CN109627470A ,2019-04-16