一种制备高密度氧化物陶瓷靶材的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711224677.3

申请日：

2017-11-29

公开(公告)号：

CN107814561A

公开(公告)日：

2018-03-20

发明(设计)人：

曾学云刘洋孙本双舒永春何季麟

申请人：

申请人地址：

450001 河南省郑州市科学大道100号

IPC主分类号：

C04B3501

IPC分类号：

C04B35453 C04B35622 C04B35634 C04B35636

代理机构：

北京卫智畅科专利代理事务所(普通合伙) 11557

代理人：

唐维铁

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-15	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C04B 35/01 申请公布日:20180320
2018-03-20	公开	公开
2018-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/01 申请日:20171129

共 50 条

[1]

一种制备氧化物陶瓷靶材坯体的方法 [P].

曾学云 ;

舒永春 ;

刘洋 ;

孙本双 .

中国专利 :CN108046767A ,2018-05-18

[2]

一种高密度氧化物靶材及其制备方法 [P].

张高祥 ;

王奇峰 ;

李开杰 ;

吴鸿毅 ;

陆洲 ;

刘成龙 .

中国专利 :CN118932286B ,2025-10-17

[3]

一种高密度氧化物靶材及其制备方法 [P].

张高祥 ;

王奇峰 ;

李开杰 ;

吴鸿毅 ;

陆洲 ;

刘成龙 .

中国专利 :CN118932286A ,2024-11-12

[4]

一种高密度氧化锡基陶瓷靶材及其制备方法 [P].

文宏福 ;

李鹏 ;

蔡正明 .

中国专利 :CN118515477A ,2024-08-20

[5]

单相结构-高密度铟锡氧化物靶材的制备方法 [P].

刘家祥 ;

刘宸 ;

王玥 .

中国专利 :CN101812665A ,2010-08-25

[6]

高密度、高纯度、大尺寸陶瓷靶材的制备方法 [P].

岳鑫 ;

吕延庆 ;

肖飞 ;

张福林 ;

韩小莹 ;

赵洪俭 .

中国专利 :CN114195513A ,2022-03-18

[7]

高密度铟锡氧化物靶材及其制造方法 [P].

蒋政 ;

樊世清 .

中国专利 :CN1326909A ,2001-12-19

[8]

一种氧化物陶瓷靶材及其制备方法 [P].

许积文 ;

周贤界 ;

王华 ;

杨玲 ;

袁昌来 ;

张小文 .

中国专利 :CN104291792A ,2015-01-21

[9]

一种铟锡氧化物陶瓷靶材的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108218419A ,2018-06-29

[10]

一种低电阻高密度氧化物靶材前驱体及其制备方法 [P].

张高祥 ;

王奇峰 ;

李开杰 ;

顾德盛 ;

张兴宇 ;

罗斯诗 .

中国专利 :CN118930227A ,2024-11-12

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