一种高密度氧化物靶材及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411295103.5

申请日：

2024-09-15

公开(公告)号：

CN118932286A

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

张高祥王奇峰李开杰吴鸿毅陆洲刘成龙

申请人：

先导薄膜材料（广东）有限公司

申请人地址：

511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区

IPC主分类号：

C23C14/08

IPC分类号：

C04B35/01 C04B35/622 C04B35/638

代理机构：

清远市诺誉知识产权代理事务所(普通合伙) 44815

代理人：

龚元元

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权
2024-11-12	公开	公开
2024-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/08申请日:20240915

共 50 条

[1]

一种高密度氧化物靶材及其制备方法 [P].

张高祥 ;

王奇峰 ;

李开杰 ;

吴鸿毅 ;

陆洲 ;

刘成龙 .

中国专利 :CN118932286B ,2025-10-17

[2]

一种低电阻高密度氧化物靶材前驱体及其制备方法 [P].

张高祥 ;

王奇峰 ;

李开杰 ;

顾德盛 ;

张兴宇 ;

罗斯诗 .

中国专利 :CN118930227A ,2024-11-12

[3]

高密度铟锡氧化物靶材及其制造方法 [P].

蒋政 ;

樊世清 .

中国专利 :CN1326909A ,2001-12-19

[4]

一种制备高密度氧化物陶瓷靶材的方法 [P].

曾学云 ;

刘洋 ;

孙本双 ;

舒永春 ;

何季麟 .

中国专利 :CN107814561A ,2018-03-20

[5]

单相结构-高密度铟锡氧化物靶材的制备方法 [P].

刘家祥 ;

刘宸 ;

王玥 .

中国专利 :CN101812665A ,2010-08-25

[6]

一种高密度氧化锡基陶瓷靶材及其制备方法 [P].

文宏福 ;

李鹏 ;

蔡正明 .

中国专利 :CN118515477A ,2024-08-20

[7]

一种高密度铈掺杂氧化铟靶材的制备方法 [P].

梅方胜 ;

陈明威 ;

崔艳 .

中国专利 :CN118771854A ,2024-10-15

[8]

一种氧化物靶材及其制备方法 [P].

张高祥 ;

王奇峰 ;

李开杰 ;

熊浩 ;

谭洪蕾 .

中国专利 :CN118771857A ,2024-10-15

[9]

一种高密度氧化镍基旋转靶材及其制备方法 [P].

马超宁 ;

牛潇迪 ;

黄誓成 ;

侯远欣 ;

孟红波 ;

王淑娜 .

中国专利 :CN118206360A ,2024-06-18

[10]

一种高密度铟锡锌氧化物溅射靶材的制备方法 [P].

刘洋 ;

孙本双 ;

赵合涛 ;

刘笑开 ;

刘苗 ;

王之君 ;

何季麟 .

中国专利 :CN119143498A ,2024-12-17

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