一种半浮栅存储器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811618691.6

申请日：

2018-12-28

公开(公告)号：

CN109860191A

公开(公告)日：

2019-06-07

发明(设计)人：

师沛

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;张磊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20181228
2022-05-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请公布日:20190607
2019-06-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有U型沟槽的半浮栅存储器件及其制造方法 [P].

师沛 .

中国专利 :CN107958907A ,2018-04-24

[2]

半浮栅存储器及其制造方法和半浮栅存储器阵列 [P].

龚轶 ;

王鹏飞 ;

刘伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN104637945B ,2015-05-20

[3]

半浮栅存储器及其制造方法 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112838089A ,2021-05-25

[4]

半浮栅存储器的制造方法及半浮栅存储器 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112908998A ,2021-06-04

[5]

半浮栅存储器及其制造工艺 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112909000A ,2021-06-04

[6]

半浮栅存储器的制造工艺及半浮栅存储器 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112908999A ,2021-06-04

[7]

一种半浮栅存储器的制造工艺及半浮栅存储器 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113161360A ,2021-07-23

[8]

半浮栅存储器单元及半浮栅存储器阵列 [P].

刘伟 ;

刘磊 ;

王鹏飞 .

中国专利 :CN104979355B ,2015-10-14

[9]

一种半浮栅存储器及其制备方法 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN111477626B ,2020-07-31

[10]

金属浮栅存储器及其制造方法 [P].

顾珍 ;

张磊 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN116209261B ,2025-11-07

← 1 2 3 4 5 →