光阻剂组成物和制造半导体元件的方法

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专利类型
发明
申请号
CN202011611909.2
申请日
2020-12-30
公开(公告)号
CN113126433A
公开(公告)日
2021-07-16
发明(设计)人
陈彦豪 赖韦翰 张庆裕
申请人
申请人地址
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号
G03F7004
IPC分类号
代理机构
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
徐金国
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
光阻剂组成物与制造半导体装置的方法 [P]. 
陈彦豪 ;
赖韦翰 ;
张庆裕 .
中国专利 :CN113314402B ,2025-03-25
[2]
光阻剂组成物与制造半导体装置的方法 [P]. 
陈彦豪 ;
赖韦翰 ;
张庆裕 .
中国专利 :CN113314402A ,2021-08-27
[3]
制造半导体装置的方法与光阻剂组成物 [P]. 
林子扬 ;
张庆裕 ;
林进祥 .
中国专利 :CN113311662A ,2021-08-27
[4]
半导体装置的形成方法及光阻剂组成物 [P]. 
訾安仁 ;
郭彦佑 ;
张庆裕 ;
林进祥 .
中国专利 :CN118782461A ,2024-10-15
[5]
光阻组成物与制造半导体装置的方法 [P]. 
陈建志 .
中国专利 :CN113363141A ,2021-09-07
[6]
光阻组成物 [P]. 
訾安仁 ;
张庆裕 ;
林进祥 .
中国专利 :CN110874016A ,2020-03-10
[7]
半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
平谷拓生 ;
菊地健彦 ;
井上尚子 .
日本专利 :CN120447136A ,2025-08-08
[8]
半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
平谷拓生 .
日本专利 :CN120195806A ,2025-06-24
[9]
半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
平谷拓生 .
日本专利 :CN120447137A ,2025-08-08
[10]
半导体光元件、以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
田中肇 .
日本专利 :CN119575704A ,2025-03-07