制造半导体装置的方法与光阻剂组成物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110215009.4

申请日：

2021-02-25

公开(公告)号：

CN113311662A

公开(公告)日：

2021-08-27

发明(设计)人：

林子扬张庆裕林进祥

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

G03F7004

IPC分类号：

G03F7027 H01L21027

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	公开	公开

共 50 条

[1]

光阻剂组成物与制造半导体装置的方法 [P].

陈彦豪 ;

赖韦翰 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN113314402B ,2025-03-25

[2]

光阻剂组成物与制造半导体装置的方法 [P].

陈彦豪 ;

赖韦翰 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN113314402A ,2021-08-27

[3]

光阻剂组成物和制造半导体元件的方法 [P].

陈彦豪 ;

赖韦翰 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN113126433A ,2021-07-16

[4]

光阻组成物与制造半导体装置的方法 [P].

陈建志 .

中国专利 :CN113363141A ,2021-09-07

[5]

光阻底层组成物与制造半导体装置的方法 [P].

訾安仁 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN113311661A ,2021-08-27

[6]

光阻底层组成物与制造半导体装置的方法 [P].

訾安仁 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN113311661B ,2024-10-15

[7]

制造半导体装置的方法以及光阻剂组成分 [P].

何俊智 ;

林进祥 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN117420728A ,2024-01-19

[8]

半导体装置的形成方法及光阻剂组成物 [P].

訾安仁 ;

郭彦佑 ;

张庆裕 ;

林进祥 .

中国专利 :CN118782461A ,2024-10-15

[9]

形成半导体装置的方法和光阻剂组成分 [P].

魏嘉林 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN119581318A ,2025-03-07

[10]

底层组成物与半导体装置的制造方法 [P].

陈建志 .

中国专利 :CN113296359B ,2025-05-02

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