制造半导体装置的方法以及光阻剂组成分

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311239301.5
申请日
2023-09-25
公开(公告)号
CN117420728A
公开(公告)日
2024-01-19
发明(设计)人
何俊智 林进祥 张庆裕
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号
G03F7/00
IPC分类号
H01L21/027 G03F7/004
代理机构
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
徐金国
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
制造半导体装置的方法与光阻剂组成物 [P]. 
林子扬 ;
张庆裕 ;
林进祥 .
中国专利 :CN113311662A ,2021-08-27
[2]
形成半导体装置的方法和光阻剂组成分 [P]. 
魏嘉林 ;
张庆裕 .
中国专利 :CN119581318A ,2025-03-07
[3]
光阻剂组成物与制造半导体装置的方法 [P]. 
陈彦豪 ;
赖韦翰 ;
张庆裕 .
中国专利 :CN113314402B ,2025-03-25
[4]
光阻剂组成物与制造半导体装置的方法 [P]. 
陈彦豪 ;
赖韦翰 ;
张庆裕 .
中国专利 :CN113314402A ,2021-08-27
[5]
光阻组成物与制造半导体装置的方法 [P]. 
陈建志 .
中国专利 :CN113363141A ,2021-09-07
[6]
光阻底层组成物与制造半导体装置的方法 [P]. 
訾安仁 ;
张庆裕 .
中国专利 :CN113311661A ,2021-08-27
[7]
光阻底层组成物与制造半导体装置的方法 [P]. 
訾安仁 ;
张庆裕 .
中国专利 :CN113311661B ,2024-10-15
[8]
光阻剂组成物和制造半导体元件的方法 [P]. 
陈彦豪 ;
赖韦翰 ;
张庆裕 .
中国专利 :CN113126433A ,2021-07-16
[9]
半导体装置的形成方法及光阻剂组成物 [P]. 
訾安仁 ;
郭彦佑 ;
张庆裕 ;
林进祥 .
中国专利 :CN118782461A ,2024-10-15
[10]
光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P]. 
黑川宗高 ;
上坂胜己 ;
上村浩 .
日本专利 :CN120165294A ,2025-06-17