半导体装置及形成半导体装置的方法

被引：0

申请号：

CN202110303986.X

申请日：

2021-03-22

公开(公告)号：

CN114464679A

公开(公告)日：

2022-05-10

发明(设计)人：

沈宇骏任啟中洪雅琪林玉珠江文智

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29788 H01L21336 H01L29423

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

卢琳蓁 ;

辛格·古尔巴格 ;

蔡宗翰 ;

王柏仁 .

中国专利 :CN113206086A ,2021-08-03

[2]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

林彦伯 ;

李威养 ;

彭远清 ;

林家彬 ;

郭俊铭 .

中国专利 :CN113314468A ,2021-08-27

[3]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

张家玮 .

中国专利 :CN115547977A ,2022-12-30

[4]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

张家玮 ;

黄彦翰 ;

张晋嘉 .

中国专利 :CN117832215A ,2024-04-05

[5]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

乔治·A·凯特尔 ;

洪俊顾 ;

马克·S·罗德尔 ;

达尔门达·雷迪·帕勒 .

中国专利 :CN107180792A ,2017-09-19

[6]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

卢琳蓁 ;

辛格·古尔巴格 ;

蔡宗翰 ;

王柏仁 .

中国专利 :CN113206086B ,2025-10-21

[7]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

彭士玮 ;

林威呈 ;

曾健庭 .

中国专利 :CN112216695A ,2021-01-12

[8]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

林孟汉 .

中国专利 :CN120187085A ,2025-06-20

[9]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

杨明宗 ;

林宪信 ;

万文恺 ;

钟嘉哲 ;

刘致为 .

中国专利 :CN114078791A ,2022-02-22

[10]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

林振华 ;

季彦良 ;

冉景涵 .

中国专利 :CN115411110A ,2022-11-29

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