半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111161013.3

申请日：

2021-09-30

公开(公告)号：

CN113903660B

公开(公告)日：

2022-01-07

发明(设计)人：

薛广杰朱奎

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

田婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20210930
2022-01-07	公开	公开
2022-08-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

朱奎 ;

薛广杰 .

中国专利 :CN113903661A ,2022-01-07

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

鲁林芝 ;

李乐 .

中国专利 :CN113421869B ,2021-09-21

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

常冰岩 ;

冯远皓 ;

薛广杰 ;

李乐 .

中国专利 :CN117673092A ,2024-03-08

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

常冰岩 ;

冯远皓 ;

薛广杰 ;

李乐 .

中国专利 :CN117673092B ,2024-11-12

[5]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[6]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

寒河江美友 ;

佐佐木文雄 .

中国专利 :CN101145578A ,2008-03-19

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

内田慎一 ;

藏本贵文 ;

中柴康隆 .

中国专利 :CN108242443B ,2018-07-03

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

江宏礼 ;

陈奕升 ;

陈自强 .

中国专利 :CN110690216B ,2020-01-14

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

梁擎擎 ;

骆志炯 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102956647A ,2013-03-06

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

肖婷 ;

高天 ;

王同信 ;

张伟光 .

中国专利 :CN118630066A ,2024-09-10

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