半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110254440.6

申请日：

2011-08-31

公开(公告)号：

CN102956647A

公开(公告)日：

2013-03-06

发明(设计)人：

朱慧珑梁擎擎骆志炯尹海洲

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2184 H01L21761

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-15	授权	授权
2013-04-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101430521669 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2011102544406 申请日:20110831
2013-03-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

梁擎擎 ;

骆志炯 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102956703B ,2013-03-06

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112864151A ,2021-05-28

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

王欢 .

中国专利 :CN114899101A ,2022-08-12

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈建奇 .

中国专利 :CN103531589A ,2014-01-22

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

崔容建 .

中国专利 :CN101383325B ,2009-03-11

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

常冰岩 ;

冯远皓 ;

薛广杰 ;

李乐 .

中国专利 :CN117673092A ,2024-03-08

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

金山弘 .

中国专利 :CN101150146A ,2008-03-26

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

俞在炫 ;

金钟玟 .

中国专利 :CN101335297A ,2008-12-31

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102437183A ,2012-05-02

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

常冰岩 ;

冯远皓 ;

薛广杰 ;

李乐 .

中国专利 :CN117673092B ,2024-11-12

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