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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311694450.0
申请日：
2023-12-08
公开(公告)号：
CN117673092A
公开(公告)日：
2024-03-08
发明(设计)人：
常冰岩
冯远皓
薛广杰
李乐
申请人：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址：
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号：
H01L27/12
IPC分类号：
H01L21/762
H01L29/78
H01L21/768
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
周耀君
法律状态：
公开
国省代码：
湖北省
武汉市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-08 | 公开 | 公开 |
| 2024-03-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/12申请日:20231208 |
| 2024-06-18 | 著录事项变更 | 著录事项变更IPC(主分类):H01L 27/12变更事项:申请人变更前:武汉新芯集成电路制造有限公司变更后:武汉新芯集成电路股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号变更后:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 |
| 2024-11-12 | 授权 | 授权 |