半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810135597.5

申请日：

2008-09-05

公开(公告)号：

CN101383325B

公开(公告)日：

2009-03-11

发明(设计)人：

崔容建

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L21822

IPC分类号：

H01L21762 H01L21265 H01L2704

代理机构：

北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134

代理人：

宋子良;吴淑平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-11	公开	公开
2009-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-03-09	授权	授权
2014-10-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101587772877 IPC(主分类):H01L 21/822 专利号:ZL2008101355975 申请日:20080905 授权公告日:20110309 终止日期:20130905

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112864151A ,2021-05-28

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

梁擎擎 ;

骆志炯 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102956647A ,2013-03-06

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

王欢 .

中国专利 :CN114899101A ,2022-08-12

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈建奇 .

中国专利 :CN103531589A ,2014-01-22

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

金山弘 .

中国专利 :CN101150146A ,2008-03-26

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

俞在炫 ;

金钟玟 .

中国专利 :CN101335297A ,2008-12-31

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102437183A ,2012-05-02

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

梁擎擎 ;

骆志炯 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102956703B ,2013-03-06

[9]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108231738A ,2018-06-29

[10]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108172620B ,2018-06-15

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