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半导体器件结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201711476561.9
申请日：
2017-12-29
公开(公告)号：
CN108172620B
公开(公告)日：
2018-06-15
发明(设计)人：
不公告发明人
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L218234
H01L21336
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
余明伟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-07-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171229 |
| 2018-11-02 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20181012 变更事项:申请人 变更前权利人:睿力集成电路有限公司 变更后权利人:长鑫存储技术有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室 变更后权利人:230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 |
| 2020-12-11 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171229 授权公告日:20190322 终止日期:20191229 |
| 2019-03-22 | 授权 | 授权 |
| 2018-06-15 | 公开 | 公开 |