半导体器件结构的制造方法及其结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010258369.4

申请日：

2010-08-19

公开(公告)号：

CN102376551B

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

钟汇才梁擎擎

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

马佑平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231929624 IPC(主分类):H01L 21/265 专利申请号:2010102583694 申请日:20100819
2015-12-16	授权	授权
2012-03-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108231738A ,2018-06-29

[2]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108172620B ,2018-06-15

[3]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102347234B ,2012-02-08

[4]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[5]

半导体器件的制造方法及其结构 [P].

R·D·莫叶丝 ;

萨德哈玛·C·沙斯特瑞 .

中国专利 :CN104701197A ,2015-06-10

[6]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

廖晋毅 ;

张世杰 .

中国专利 :CN105845731A ,2016-08-10

[7]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102332431A ,2012-01-25

[8]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

黄信耀 ;

林政贤 ;

周世培 ;

许慈轩 .

中国专利 :CN112349736A ,2021-02-09

[9]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

谢宝强 ;

朱旋 ;

肖玉洁 ;

杨兆宇 .

中国专利 :CN102044523A ,2011-05-04

[10]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102347358A ,2012-02-08

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