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半导体器件结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010124157.0
申请日：
2020-02-27
公开(公告)号：
CN112349736A
公开(公告)日：
2021-02-09
发明(设计)人：
黄信耀
林政贤
周世培
许慈轩
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
IPC主分类号：
H01L27146
IPC分类号：
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
薛恒;王琳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-03-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20200227 |
| 2021-02-09 | 公开 | 公开 |