半导体器件结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510390629.6

申请日：

2015-07-06

公开(公告)号：

CN105845731A

公开(公告)日：

2016-08-10

发明(设计)人：

廖晋毅张世杰

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2904

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-10	公开	公开
2019-06-14	授权	授权
2016-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101677914865 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015103906296 申请日:20150706

共 50 条

[1]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

荒井雅利 ;

濑川瑞树 ;

薮俊树 .

中国专利 :CN100426525C ,2006-01-25

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

岩本敏幸 .

中国专利 :CN101587896A ,2009-11-25

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

金永奭 .

中国专利 :CN101409307A ,2009-04-15

[5]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108231738A ,2018-06-29

[6]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102332431A ,2012-01-25

[7]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108172620B ,2018-06-15

[8]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

黄信耀 ;

林政贤 ;

周世培 ;

许慈轩 .

中国专利 :CN112349736A ,2021-02-09

[9]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102347234B ,2012-02-08

[10]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

谢宝强 ;

朱旋 ;

肖玉洁 ;

杨兆宇 .

中国专利 :CN102044523A ,2011-05-04

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