半导体器件结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010230771.1

申请日：

2010-07-13

公开(公告)号：

CN102332431A

公开(公告)日：

2012-01-25

发明(设计)人：

钟汇才梁擎擎

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L2128 H01L21768 H01L27088

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

马佑平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101203922509 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2010102307711 申请日:20100713
2016-02-03	授权	授权
2012-01-25	公开	公开

共 50 条

[1]

层叠结构、半导体器件及其制造方法 [P].

M·M·弗兰克 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN103579319A ,2014-02-12

[2]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

稻叶聪 .

中国专利 :CN100468733C ,2006-04-26

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

八重樫利武 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN100448010C ,2006-08-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

川嶋祥之 ;

伊藤文俊 ;

坂井健志 ;

石井泰之 ;

金丸恭弘 ;

桥本孝司 ;

水野真 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN1534768A ,2004-10-06

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相龙 .

中国专利 :CN1983637A ,2007-06-20

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

李真 ;

朴赞毫 ;

金虎铉 ;

黄大元 ;

金荣锡 .

韩国专利 :CN119133230A ,2024-12-13

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

筱原正昭 ;

渡部浩三 ;

大和田福夫 ;

青山卓史 .

中国专利 :CN1542974A ,2004-11-03

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