半导体器件的制造方法及半导体制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410069736.0

申请日：

2004-07-14

公开(公告)号：

CN1577778A

公开(公告)日：

2005-02-09

发明(设计)人：

黑泽哲也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2150

IPC分类号：

H01L2168 H01L2152 H01L21301

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

陈海红;段承恩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-08-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586607943 IPC(主分类):H01L 21/50 专利号:ZL2004100697360 申请日:20040714 授权公告日:20070124 终止日期:20130714
2005-02-09	公开	公开
2007-01-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体制造装置、半导体制造系统及半导体器件的制造方法 [P].

小桥英晴 .

日本专利 :CN119208185A ,2024-12-27

[2]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

甲斐丈靖 ;

马场裕之 .

中国专利 :CN101445919B ,2009-06-03

[3]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

横森刚 ;

名久井勇辉 .

中国专利 :CN108346585A ,2018-07-31

[4]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

名久井勇辉 ;

冈本直树 ;

齐藤明 ;

横森刚 ;

二宫勇 .

中国专利 :CN108400096A ,2018-08-14

[5]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

小桥英晴 .

中国专利 :CN109524320A ,2019-03-26

[6]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

小桥英晴 .

中国专利 :CN108962784B ,2018-12-07

[7]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

大森龙葵 ;

保坂浩二 ;

依田光央 ;

大久保达行 ;

降矢国夫 .

日本专利 :CN117766426A ,2024-03-26

[8]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

高野晴之 ;

牧浩 .

中国专利 :CN109671646A ,2019-04-23

[9]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

冈本直树 ;

山上孝 .

中国专利 :CN107818941B ,2018-03-20

[10]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

望月政幸 .

中国专利 :CN108364880A ,2018-08-03

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