半导体制造装置及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810173276.4

申请日：

2008-10-31

公开(公告)号：

CN101445919B

公开(公告)日：

2009-06-03

发明(设计)人：

甲斐丈靖马场裕之

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1652 H01L2100 H01L21205

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

雒运朴;李伟

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-04	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:OKI半导体株式会社变更后:拉碧斯半导体株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本神奈川县号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101676851634 IPC(主分类):C23C 16/455 专利号:ZL2008101732764
2011-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 IPC(主分类):C23C 16/455 专利申请号:2008101732764 申请日:20081031 号牌文件序号:101028287632
2018-10-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20081031 授权公告日:20121003 终止日期:20171031
2012-10-03	授权	授权
2009-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体制造装置、半导体制造系统及半导体器件的制造方法 [P].

小桥英晴 .

日本专利 :CN119208185A ,2024-12-27

[2]

半导体器件的制造方法及半导体制造装置 [P].

黑泽哲也 .

中国专利 :CN1577778A ,2005-02-09

[3]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

横森刚 ;

名久井勇辉 .

中国专利 :CN108346585A ,2018-07-31

[4]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

名久井勇辉 ;

冈本直树 ;

齐藤明 ;

横森刚 ;

二宫勇 .

中国专利 :CN108400096A ,2018-08-14

[5]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

小桥英晴 .

中国专利 :CN109524320A ,2019-03-26

[6]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

小桥英晴 .

中国专利 :CN108962784B ,2018-12-07

[7]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

大森龙葵 ;

保坂浩二 ;

依田光央 ;

大久保达行 ;

降矢国夫 .

日本专利 :CN117766426A ,2024-03-26

[8]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

高野晴之 ;

牧浩 .

中国专利 :CN109671646A ,2019-04-23

[9]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

冈本直树 ;

山上孝 .

中国专利 :CN107818941B ,2018-03-20

[10]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

望月政幸 .

中国专利 :CN108364880A ,2018-08-03

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