金属-绝缘体-金属电容结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910006933.0

申请日：

2009-02-13

公开(公告)号：

CN101807607A

公开(公告)日：

2010-08-18

发明(设计)人：

高新立孙自军李雪林

申请人：

申请人地址：

215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号

IPC主分类号：

H01L2992

IPC分类号：

H01L2941 H01L2102

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司 11278

代理人：

张春媛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-18	公开	公开
2010-10-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006684890 IPC(主分类):H01L 29/92 专利申请号:2009100069330 申请日:20090213
2013-01-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101495802199 IPC(主分类):H01L 29/92 专利申请号:2009100069330 申请公布日:20100818

共 50 条

[1]

多层王冠型金属-绝缘体-金属电容器结构及其制作方法 [P].

车行远 ;

翁文毅 .

中国专利 :CN106505063B ,2017-03-15

[2]

金属-绝缘体-金属电容器结构及其制作方法 [P].

洪雅娟 ;

蔡馥郁 .

中国专利 :CN120388963A ,2025-07-29

[3]

金属-绝缘体-金属电容器结构及其制作方法 [P].

高永亮 ;

陈辉 .

中国专利 :CN106158578A ,2016-11-23

[4]

金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构及其制作方法 [P].

M·奥莱瓦恩 ;

K·塞兹 .

中国专利 :CN100524613C ,2005-01-19

[5]

金属-绝缘体-金属电容结构 [P].

侯泰成 ;

林大钧 ;

蔡滨祥 ;

蔡馥郁 ;

萧雅茵 ;

苏柏青 ;

李一凡 ;

侯冠志 ;

王裕夫 ;

陈俤彬 ;

吴志强 ;

王尧展 .

中国专利 :CN120184154A ,2025-06-20

[6]

金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法 [P].

郑春生 ;

张文广 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102420229A ,2012-04-18

[7]

金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法 [P].

郑春生 ;

张文广 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102420230A ,2012-04-18

[8]

金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法 [P].

郑春生 ;

张文广 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102420257A ,2012-04-18

[9]

金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法 [P].

郑春生 ;

张文广 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102420258A ,2012-04-18

[10]

金属－绝缘体－金属电容器及其制作方法 [P].

R·拉奇纳 ;

M·施维德 ;

M·施伦克 .

中国专利 :CN1411611A ,2003-04-16

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