一种沟槽型功率器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN202210093654.8
申请日
2022-01-26
公开(公告)号
CN114122112A
公开(公告)日
2022-03-01
发明(设计)人
曾大杰
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南一道008号创维大厦A1206
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L29861 H01L21329
代理机构
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人
阳方玉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
沟槽型功率器件及其制造方法 [P]. 
杨啸 ;
陈辉 ;
王加坤 .
中国专利 :CN114512545A ,2022-05-17
[2]
沟槽型功率器件的制造方法 [P]. 
杨啸 ;
陈辉 ;
王加坤 .
中国专利 :CN114429906B ,2025-08-26
[3]
沟槽型功率器件的制造方法 [P]. 
杨啸 ;
陈辉 ;
王加坤 .
中国专利 :CN114429906A ,2022-05-03
[4]
沟槽型功率器件结构及其制造方法 [P]. 
周旭 ;
吴荣成 ;
张海波 ;
李远哲 .
中国专利 :CN118380411A ,2024-07-23
[5]
沟槽型功率器件的制造方法 [P]. 
李理 ;
马万里 ;
赵圣哲 .
中国专利 :CN104835740A ,2015-08-12
[6]
沟槽栅功率器件及其制造方法 [P]. 
李东升 .
中国专利 :CN111370463A ,2020-07-03
[7]
沟槽功率器件结构及其制造方法 [P]. 
孙效中 .
中国专利 :CN105609554A ,2016-05-25
[8]
一种沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
杨笠 ;
石亮 .
中国专利 :CN112382566A ,2021-02-19
[9]
沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法 [P]. 
常虹 .
中国专利 :CN113517341A ,2021-10-19
[10]
沟槽型功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 ;
周锦程 ;
王根毅 ;
周永珍 .
中国专利 :CN113314589A ,2021-08-27