沟槽型功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110534213.2

申请日：

2021-05-17

公开(公告)号：

CN113314589A

公开(公告)日：

2021-08-27

发明(设计)人：

朱袁正叶鹏周锦程王根毅周永珍

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L27088 H01L218234

代理机构：

无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517

代理人：

屠志力

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	公开	公开
2021-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210517

共 50 条

[1]

屏蔽栅沟槽型半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

朱晨凯 ;

杨卓 ;

周锦程 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN113471278A ,2021-10-01

[2]

带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件及其制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN113782432A ,2021-12-10

[3]

全超结功率半导体器件及其制造方法 [P].

支立明 .

中国专利 :CN120050980A ,2025-05-27

[4]

一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

林峙宇 ;

方冬 ;

张波 .

中国专利 :CN115050811A ,2022-09-13

[5]

带有屏蔽栅沟槽MOS的半导体器件及其制造方法 [P].

张蕾 ;

齐笑 ;

王文强 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118280840A ,2024-07-02

[6]

半导体器件制造方法 [P].

李亚洲 ;

姚振海 ;

金乐群 ;

居碧玉 ;

徐杰 .

中国专利 :CN115410901A ,2022-11-29

[7]

沟槽型功率半导体器件及其制备方法 [P].

单建安 ;

梁嘉进 ;

伍震威 .

中国专利 :CN111312824A ,2020-06-19

[8]

耗尽型功率半导体器件及其制造方法 [P].

叶俊 ;

张邵华 ;

李敏 .

中国专利 :CN102751332B ,2012-10-24

[9]

沟槽功率半导体器件及制造方法 [P].

朱袁正 ;

廖周林 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN112420845A ,2021-02-26

[10]

沟槽功率半导体器件及制造方法 [P].

朱袁正 ;

廖周林 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN112420845B ,2024-09-06

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