耗尽型功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210253510.0

申请日：

2012-07-20

公开(公告)号：

CN102751332B

公开(公告)日：

2012-10-24

发明(设计)人：

叶俊张邵华李敏

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市黄姑山路4号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L21265

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆嘉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-12	授权	授权
2012-10-24	公开	公开
2012-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101367526373 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012102535100 申请日:20120720

共 50 条

[1]

耗尽型功率半导体器件 [P].

叶俊 ;

张邵华 ;

李敏 .

中国专利 :CN202736927U ,2013-02-13

[2]

高可靠性耗尽型功率半导体器件及其制造方法 [P].

叶俊 ;

张邵华 .

中国专利 :CN103022138B ,2013-04-03

[3]

高可靠性耗尽型功率半导体器件 [P].

叶俊 ;

张邵华 .

中国专利 :CN203013735U ,2013-06-19

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

赵金波 ;

曹俊 ;

张邵华 ;

王平 ;

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

王珏 .

中国专利 :CN107452629A ,2017-12-08

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN104269357A ,2015-01-07

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN104078354B ,2014-10-01

[7]

一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

林峙宇 ;

方冬 ;

张波 .

中国专利 :CN115050811A ,2022-09-13

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

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