一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210762450.9

申请日：

2022-06-30

公开(公告)号：

CN115050811A

公开(公告)日：

2022-09-13

发明(设计)人：

乔明林峙宇方冬张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21336

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220630
2022-09-13	公开	公开

共 50 条

[1]

耗尽型功率半导体器件及其制造方法 [P].

叶俊 ;

张邵华 ;

李敏 .

中国专利 :CN102751332B ,2012-10-24

[2]

沟槽型功率半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN113314589A ,2021-08-27

[3]

沟槽型半导体器件及其制造方法 [P].

杨涛涛 ;

邱凯兵 .

中国专利 :CN114649410A ,2022-06-21

[4]

一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法 [P].

单建安 ;

冯浩 .

中国专利 :CN111725306A ,2020-09-29

[5]

一种沟槽型半导体器件及其制造方法 [P].

杨涛涛 ;

吴海平 .

中国专利 :CN114122122A ,2022-03-01

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

赵金波 ;

曹俊 ;

张邵华 ;

王平 ;

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

王珏 .

中国专利 :CN107452629A ,2017-12-08

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN104269357A ,2015-01-07

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618B ,2024-02-23

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618A ,2022-04-22

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN104078354B ,2014-10-01

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